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【AMLT 4nm EUV光刻机·半导体光刻天花板】
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核心技术优势
1. 制程能力突破
支持4nm单次曝光（ASML等传统方案需多重曝光），车规级芯片良率达95.3%，先进封装3D堆叠精度控制在纳米级，满足高可靠性芯片制造需求。
2. 光源系统革新
采用SSMB-EUV稳态微聚束光源，功率密度较传统EUV光源提升3倍，能耗降低60%，支持24小时连续稳定输出，无液态污染风险，适配高负荷生产场景。
3. 光学精度保障
配备蔡司定制碳基反射镜（反射率99.2%）及12组自适应变形镜，实时修正热畸变与重力偏移，套刻精度达±1.2nm，达到行业顶尖水平。
4. 机械定位精度
六自由度磁悬浮工作台实现0.5nm定位精度，集成地震波补偿算法，可抵御厂房轻微震动影响，确保复杂环境下的精准光刻。