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光学光刻是纳米光刻领域中最重要和最流行的技术之一。光刻技术包含几种重要的衍生技术,所有这些技术都使用非常短的光波长来改变某些分子的溶解度,从而使它们在溶液中被洗掉,从而留下所需的结构。几种光学光刻技术需要使用浸液技术和许多分辨率增强技术,例如相移掩模(PSM)和光学邻近校正(OPC)。这套技术中包括的一些技术包括多光子光刻,X射线光刻,光耦合纳米光刻(LCM)和极紫外光刻(EUVL)。[2]由于该技术能够精确地生成低于30纳米的结构,因此被认为是最重要的下一代光刻(NGL)技术。